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設(shè)備配置	2-4 chamber
設(shè)備產(chǎn)能	60WPH（Gu Ti刻蝕）
襯底材質(zhì)	Si、SiC、Glass、GaAs、InP
適用工藝	氧化硅/氮化硅刻蝕（SiOx/SiNx etch）、金屬刻蝕/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc.)、氧化銦錫/氧化銦鎵鋅（ITO/IGZO）等
工藝指標(biāo)	介質(zhì)刻蝕均勻性＜5%、金屬刻蝕均勻性＜5%、顆?？刂疲?le;20ea@0.16um）
工藝指標(biāo)	金屬離子控制（Fe Ca: 5E9 atms/cm²；others: 1E10 atms/cm²）
應(yīng)用領(lǐng)域	IC、功率器件、射頻集成、半導(dǎo)體光學(xué)、光通訊、科研
技術(shù)特征	?機(jī)臺(tái)可實(shí)現(xiàn)多尺寸兼容； ?工藝腔體經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的潔凈度控制； ?可適用多種藥液如SPM(H2SO4:H2O2),SC-1(NH4OH:H2O2:H20),SC-2(HCL:H2O2:H2O) ，HF，HNO3，H3PO4等，最多可實(shí)現(xiàn)4種藥液的循環(huán)回收使用； ?可配合使用Nano spray工藝和IPA N2 dry等干燥工藝。
設(shè)備尺寸	256025132500（WDH）

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