設備配置 | 2C2D、4C、4D |
設備產(chǎn)能 | 180WPH |
襯底材質(zhì) | Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等 |
線寬 | ≥0.35um |
適用工藝 | G-line、i-line、PI |
應用領域 | MEMS、功率器件、射頻集成、光通訊、LED、科研等 |
技術特征 | ?設備采用高速機械手、產(chǎn)能高,穩(wěn)定性好; ?配置有RRC功能,光刻膠4寸用量可控制在0.6ml; ?設備故障、生產(chǎn)工藝參數(shù)等記錄等可長期保存?zhèn)洳椋?/span> ?光刻膠采用精密計量泵供應,精度高,供液穩(wěn)定,出膠量設定方便; ?可做兩種尺寸完全兼容,不需要更換零件; ?可選配光刻膠顯影液溫控, HMDS等單元部件。 |
設備尺寸 | 1650*1450*2040mm(W*D*H) |