設(shè)備配置 | 1 Soak、1 Stripper、1 Clean |
設(shè)備產(chǎn)能 | 40WPH |
襯底材質(zhì) | Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN |
適用工藝 | 金屬剝離、光刻膠去除 |
工藝指標(biāo) | 顆??刂?le;20ea@0.2μm,金屬去除率>99%,光刻膠去除率>99% |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 先進(jìn)封裝、MEMS、功率器件、射頻集成電路、半導(dǎo)體光學(xué)、光通訊、科研等 |
技術(shù)特征 | ?設(shè)備為全自動(dòng)機(jī)臺(tái),可自動(dòng)完成去膠、金屬剝離工藝; ?設(shè)備配置浸泡、去膠、清洗三種工藝腔體,浸泡單元采用浸泡和超聲波輔助對晶圓表面的光刻膠溶解; ?去膠單元采用高壓柱狀或扇狀噴嘴對晶圓表面的金屬和光刻膠進(jìn)行去除; ?清洗單元將晶圓表面的去膠液和顆粒清洗干凈,最終實(shí)現(xiàn)晶圓的干進(jìn)干出; ?去膠液循環(huán)系統(tǒng)采用多級過濾,可實(shí)現(xiàn)循環(huán)使用。 |
設(shè)備尺寸 | 2000*1950*2500(W*D*H) |