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單片清洗機 ACL SCRUBBER
| 設(shè)備配置 | 2-4 chamber |
| 設(shè)備產(chǎn)能 | 104WPH |
| 襯底材質(zhì) | Si、SiC、Glass、GaAs、InP、Sapphire、LN、LT |
| 適用工藝 | 來料清洗、CMP后清洗、打標(biāo)后清洗、背面清洗、光刻膠殘留清洗 |
| 工藝指標(biāo) | 顆粒控制（≤20ea@0.12um） |
| 金屬離子控制（Fe Ca: 5E9 atms/cm | |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | IC、功率器件、射頻集成、半導(dǎo)體光學(xué)、光通訊、科研 |
| 技術(shù)特征 | ?機臺可實現(xiàn)多尺寸兼容； ?工藝腔體經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計，高性能FFU，配合可調(diào)節(jié)高度的CUP，在晶圓表面形成穩(wěn)定downflow,有效控制腔體內(nèi)的靜態(tài)環(huán)境和動態(tài)環(huán)境； ?多達三個噴液手臂和一個固定噴頭，實現(xiàn)多種噴液方式的混合使用，增大清洗工藝節(jié)點的窗口（≤120nm）； ?手臂采用電缸使上下方向高度可調(diào)，采用伺服電機使擺動方向上實現(xiàn)任意位置的精確調(diào)節(jié)，實現(xiàn)更大的工藝優(yōu)化窗口； ?氣液分離機制，可利用分層CUP實現(xiàn)對有機和DIW的分開排廢。 |
| 設(shè)備尺寸 | 2560*2513*2500（W*D*H） |